一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法

2016/10/21 9:52:24 人评论 次浏览 分类:科技创新

专利名称:一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法
专利类别:发明
申请号或专利号:201310433449.2
专利申请日:2013.09.18
摘要:一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法,属于新材料领域。在稳定非晶结构的团簇加连接原子模型的指导下,综合考虑了混合焓、团簇结构等因素,确定薄膜成分的原子百分比为(at.%),B:75-90;C:5-12.5;Mg:5-12.5时可以形成具有良好综合性能的非晶基薄膜。材料性能指标为:薄膜硬度为H=24-34GPa;杨氏模量为E=240-325GPa;断裂韧性KIC=1.2-3MPa*m1/2;摩擦系数为COF=0.05-0.3。本发明的效果和益处是在较大成分容忍度范围内制备结构均匀、各向同性的高硬、高韧、低摩擦系数非晶薄膜材料,可以作为理想的保护涂层材料,在微机电、刀模具或表面加工行业具有潜在的应用前景。
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