金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法

2016/10/21 9:50:15 人评论 次浏览 分类:科技创新

专利名称:金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法
专利类别:发明
申请号或专利号:201210247142.9
专利申请日:2012.07.17
摘要:本发明公开了一种金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法,所述LED芯片由金属基片,AlxGayIn1-x-yN缓冲层,未掺杂AlxGayIn1-x-yN层,n型掺杂AlxGayIn1-x-yN层,InxGa1-xN/GaN多量子阱MQW层,p型掺杂AlxGa1-x-N层,p型掺杂AlxGayIn1-x-yN层,n+重掺杂型AlxGayIn1-x-yN层和氧化铟锡ITO层复合沉积构成,在氧化铟锡ITO层表面还有Ni/Au电极层;所述制备方法的步骤依次包括置料,等离子体清洗,氮化处理,制备缓冲层,制备未掺杂层,制备n型掺杂层,制备多量子阱层,制备p型掺杂层,制备第二p型掺杂层,制备n+重掺杂型层和氧化铟锡层以及电极层;所述芯片具有结构合理、光谱范围广等特点,而所述制备方法具有工艺合理、低温环保、制成品质量好、制备成本低等特点。
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